CSD23202W10T - MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-CSD23202W10T
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1664550 Pieces
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Especificaciones para CSD23202W10T
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
CSD23202W10T
Fabricante :
Texas Instruments
Descripción :
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Serie :
NexFET™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
2.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
3.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
-6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
512pF @ 6V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
4-DSBGA (1x1)
Paquete / Caja :
4-UFBGA, DSBGA
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para CSD23202W10T
Hojas de datos :
CSD23202W10T.pdf
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