IDC21D120T6MX1SA2 - DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
132840 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IDC21D120T6MX1SA2
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IDC21D120T6MX1SA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
1200V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
35A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
2.05V @ 35A
Velocidad :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
-
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
7.7µA @ 1200V
Capacitancia a Vr, F :
-
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
Die
Paquete del dispositivo del proveedor :
Sawn on foil
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-40°C ~ 175°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IDC21D120T6MX1SA2
Hojas de datos :
IDC21D120T6MX1SA2.pdf
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