SISH112DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Número de pieza del fabricante

SISH112DN-T1-GE3

Número interno de parte

AX-SISH112DN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

663080 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.42312~~

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Especificaciones para SISH112DN-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SISH112DN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11.3A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 17.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2610pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8SH

Paquete / Caja : PowerPAK® 1212-8SH

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SISH1 , SISH112D

Documentos para SISH112DN-T1-GE3

Hojas de datos : SISH112DN-T1-GE3.pdf

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