PHKD3NQ10T,518 - MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Número de pieza del fabricante

PHKD3NQ10T,518

Número interno de parte

AX-PHKD3NQ10T,518

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

29029 Pieces

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Especificaciones para PHKD3NQ10T,518

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PHKD3NQ10T,518

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descripción : MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Serie : TrenchMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 633pF @ 20V

Potencia - max : 2W

Temperatura de funcionamiento : -65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PHKD , PHKD3NQ

Documentos para PHKD3NQ10T,518

Hojas de datos : PHKD3NQ10T,518.pdf

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