PHKD3NQ10T,518 - MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
29029 Pieces
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Especificaciones para PHKD3NQ10T,518
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : PHKD3NQ10T,518
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descripción : MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Serie : TrenchMOS™
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 633pF @ 20V
Potencia - max : 2W
Temperatura de funcionamiento : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para PHKD3NQ10T,518
Hojas de datos : PHKD3NQ10T,518.pdf
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