IAUC120N04S6L008ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
362120 Pieces
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Especificaciones para IAUC120N04S6L008ATMA1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IAUC120N04S6L008ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 90µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7910pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TDSON-8
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : IAUC120 , IAUC120N04
Documentos para IAUC120N04S6L008ATMA1
Hojas de datos : IAUC120N04S6L008ATMA1.pdf
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