IPL65R660E6AUMA1 - MOSFET N-CH 4VSON

Número de pieza del fabricante

IPL65R660E6AUMA1

Número interno de parte

AX-IPL65R660E6AUMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 4VSON

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

23296 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IPL65R660E6AUMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPL65R660E6AUMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 4VSON

Serie : CoolMOS™ E6

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 7A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 440pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 63W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : Thin-Pak (8x8)

Paquete / Caja : 4-PowerTSFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IPL65 , IPL65R66

Documentos para IPL65R660E6AUMA1

Hojas de datos : IPL65R660E6AUMA1.pdf

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