TK4P60DB(T6RSS-Q) - MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
12776 Pieces
Precio de referencia
USD 0
Nuestro precio
- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])

AX Semiconductor tiene TK4P60DB(T6RSS-Q) en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para TK4P60DB(T6RSS-Q). Nuestro correo electrónico: [email protected]
Opciones de envío y tiempo de envío:
DHL: 2-3 days.
FEDEX: 2-3 days.
UPS: 2-4 days.
TNT: 3-5 days.
EMS: 5-8 days.
Normal Post: 10-15 days.
Opciones de pago:
Paypal (Credit Card)
Bank Transfer (Wire Transfer)
Western Union
MoneyGram

Especificaciones para TK4P60DB(T6RSS-Q)

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TK4P60DB(T6RSS-Q)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3
Serie : π-MOSVII
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 540pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : D-Pak
Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : TK4P6 , TK4P60DB

Documentos para TK4P60DB(T6RSS-Q)

Hojas de datos : TK4P60DB(T6RSS-Q).pdf

Productos relacionados para TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza Marca Descripción Comprar

CDR01BX102BKZSAT

Vishay Vitramon

CAP CER 1000PF 100V 10 BX 0805.

WF125420WN76238BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 7600PF 18KV SCREW.

WF135242WP30238BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 3000PF 20KV SCREW.

WF135285WP50233BJ2

Vishay Beyschlag

CAP CER 5000PF 20KV SCREW.

WI140266WQ75236BJ2

Vishay Beyschlag

CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.

WI085260WJ47238BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 4700PF 14KV SCREW.

VJ0603Q3R3CEAAO

Vishay Vitramon

CAP CER 3.3PF 50V C0G/NP0 0603.

GRM0335C1H5R9DD01D

Murata Electronics North America

CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.

SR152A2R2CAA

AVX Corporation

CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD.

WF165336WQ75233BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.

WF165336WQ75236BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.

WI106266WP40236BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 4000PF 20KV SCREW.

FPE210WV15236BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 1500PF 30KV R85 AXIAL.

WF135242BQ25236BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 2500PF 25KV SCREW.

WZ135285WP50236BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 5000PF 20KV.

WI140316WQ75236BJ3

Vishay Beyschlag

CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.

WF165420WN10338BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 10000PF 18KV SCREW.

BZ118100WV10136CB1

Vishay Beyschlag

CAP CER 100PF 30KV AXIAL.

WF135218WL40238BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 4000PF 16KV SCREW.

WI140316WQ75236BJ2

Vishay Beyschlag

CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.