IXFA12N65X2 - MOSFET N-CH
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IXFA12N65X2
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
196055 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IXFA12N65X2
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IXFA12N65X2
Fabricante : IXYS
Descripción : MOSFET N-CH
Serie : HiPerFET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 310 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 18.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1134pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263AA
Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IXFA12N65X2
Hojas de datos : IXFA12N65X2.pdf
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