IXFA12N65X2 - MOSFET N-CH

Número de pieza del fabricante

IXFA12N65X2

Número interno de parte

AX-IXFA12N65X2

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

196055 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.431~~

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Especificaciones para IXFA12N65X2

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXFA12N65X2

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH

Serie : HiPerFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 310 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 18.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1134pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 180W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263AA

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IXF , IXFA1

Documentos para IXFA12N65X2

Hojas de datos : IXFA12N65X2.pdf

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