IXFN80N60P3 - MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Número de pieza del fabricante

IXFN80N60P3

Número interno de parte

AX-IXFN80N60P3

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

30870 Pieces

Precio de referencia

~~USD 12.72~~

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Especificaciones para IXFN80N60P3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXFN80N60P3

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Serie : HiPerFET™, Polar3™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 66A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 13100pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 960W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-227B

Paquete / Caja : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IXFN80N60P3

Hojas de datos : IXFN80N60P3.pdf

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