RP1A090ZPTR - MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-RP1A090ZPTR
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
66440 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para RP1A090ZPTR
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
RP1A090ZPTR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descripción :
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
59nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
7400pF @ 6V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
MPT6
Paquete / Caja :
6-SMD, Flat Leads
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para RP1A090ZPTR
Hojas de datos :
RP1A090ZPTR.pdf
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