FDB2670 - MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-FDB2670
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
69250 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para FDB2670
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
FDB2670
Fabricante :
ON Semiconductor
Descripción :
MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
Serie :
PowerTrench®
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
19A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1320pF @ 100V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
93W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-263AB
Paquete / Caja :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para FDB2670
Hojas de datos :
FDB2670.pdf
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