AOW29S50 - MOSFET N-CH 500V 29A TO262
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-AOW29S50
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 500V 29A TO262
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
203880 Pieces
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Especificaciones para AOW29S50
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : AOW29S50
Fabricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción : MOSFET N-CH 500V 29A TO262
Serie : aMOS™
Estado de la pieza : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 29A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 26.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1312pF @ 100V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 357W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-262
Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para AOW29S50
Hojas de datos : AOW29S50.pdf
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