IXFA180N10T2 - MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

Número de pieza del fabricante

IXFA180N10T2

Número interno de parte

AX-IXFA180N10T2

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

115450 Pieces

Precio de referencia

~~USD 2.43~~

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Especificaciones para IXFA180N10T2

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXFA180N10T2

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

Serie : GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 180A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 185nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 10500pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 480W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263 (IXFA)

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IXFA , IXFA18

Documentos para IXFA180N10T2

Hojas de datos : IXFA180N10T2.pdf

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