RYC002N05T316 - MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3

Número de pieza del fabricante

RYC002N05T316

Número interno de parte

AX-RYC002N05T316

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

5994960 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.0468~~

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Especificaciones para RYC002N05T316

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RYC002N05T316

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 50V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 200mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 26pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 350mW (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SST3

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para RYC002N05T316

Hojas de datos : RYC002N05T316.pdf

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