BSB012N03LX3 G - MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

Número de pieza del fabricante

BSB012N03LX3 G

Número interno de parte

AX-BSB012N03LX3 G

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

15760 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para BSB012N03LX3 G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSB012N03LX3 G

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 39A (Ta), 180A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 169nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 16900pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : MG-WDSON-2, CanPAK M™

Paquete / Caja : 3-WDSON

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BSB0 , BSB012N

Documentos para BSB012N03LX3 G

Hojas de datos : BSB012N03LX3 G.pdf

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