EPC2105ENG - GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-EPC2105ENG
Fabricante
Breve descripción
GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
28483 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para EPC2105ENG
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : EPC2105ENG
Fabricante : EPC
Descripción : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 300pF @ 40V
Potencia - max : -
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : Die
Paquete del dispositivo del proveedor : Die
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para EPC2105ENG
Hojas de datos : EPC2105ENG.pdf
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