CSD13306WT - MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-CSD13306WT
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1297460 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para CSD13306WT
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
CSD13306WT
Fabricante :
Texas Instruments
Descripción :
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Serie :
NexFET™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
3.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
11.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1370pF @ 6V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
6-DSBGA (1x1.5)
Paquete / Caja :
6-UFBGA, DSBGA
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para CSD13306WT
Hojas de datos :
CSD13306WT.pdf
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