TPC6008-H(TE85L,FM - MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6

Número de pieza del fabricante

TPC6008-H(TE85L,FM

Número interno de parte

AX-TPC6008-H(TE85L,FM

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

12800 Pieces

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Especificaciones para TPC6008-H(TE85L,FM

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TPC6008-H(TE85L,FM

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6

Serie : U-MOSVI-H

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.9A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 300pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 700mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : VS-6 (2.9x2.8)

Paquete / Caja : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TPC6008-H(TE85L,FM

Hojas de datos : TPC6008-H(TE85L,FM.pdf

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