BUZ30AHXKSA1 - MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-BUZ30AHXKSA1
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
194020 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para BUZ30AHXKSA1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : BUZ30AHXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Serie : SIPMOS®
Estado de la pieza : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 21A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1900pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO220-3
Paquete / Caja : TO-220-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para BUZ30AHXKSA1
Hojas de datos : BUZ30AHXKSA1.pdf
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