2N6660-E3 - MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-2N6660-E3
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
19896 Pieces
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Especificaciones para 2N6660-E3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
2N6660-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
990mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
50pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-205AD (TO-39)
Paquete / Caja :
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para 2N6660-E3
Hojas de datos :
2N6660-E3.pdf
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