AS4C512M8D3B-12BAN - IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
41258 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para AS4C512M8D3B-12BAN
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
AS4C512M8D3B-12BAN
Fabricante :
Alliance Memory, Inc.
Descripción :
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Serie :
Automotive, AEC-Q100
Estado de la pieza :
Preliminary
Tipo de memoria :
Volatile
Formato de memoria :
DRAM
Tecnología :
SDRAM - DDR3
Tamaño de la memoria :
4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj :
800MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página :
15ns
Tiempo de acceso :
20ns
interfaz de memoria :
Parallel
Suministro de voltaje :
1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
78-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor :
78-FBGA (9x10.5)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para AS4C512M8D3B-12BAN
Hojas de datos :
AS4C512M8D3B-12BAN.pdf
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