IXFX200N10P - MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IXFX200N10P
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
58326 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IXFX200N10P
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IXFX200N10P
Fabricante :
IXYS
Descripción :
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
Serie :
HiPerFET™, PolarP2™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
200A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
235nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
7600pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
830W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
PLUS247™-3
Paquete / Caja :
TO-247-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IXFX200N10P
Hojas de datos :
IXFX200N10P.pdf
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