IRF6665 - MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH

Número de pieza del fabricante

IRF6665

Número interno de parte

AX-IRF6665

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

10312 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IRF6665

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF6665

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.2A (Ta), 19A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 530pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DIRECTFET™ SH

Paquete / Caja : DirectFET™ Isometric SH

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRF6665

Hojas de datos : IRF6665.pdf

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