FCD850N80Z - MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

Número de pieza del fabricante

FCD850N80Z

Número interno de parte

AX-FCD850N80Z

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

429585 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FCD850N80Z

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FCD850N80Z

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

Serie : SuperFET® II

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 600µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1315pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 75W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FCD850N80Z

Hojas de datos : FCD850N80Z.pdf

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