TPC8113(TE12L,Q) - MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Número de pieza del fabricante

TPC8113(TE12L,Q)

Número interno de parte

AX-TPC8113(TE12L,Q)

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

6888 Pieces

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Especificaciones para TPC8113(TE12L,Q)

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TPC8113(TE12L,Q)

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 107nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4500pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOP (5.5x6.0)

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TPC8113(TE12L,Q)

Hojas de datos : TPC8113(TE12L,Q).pdf

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