FDC6301N_G - MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-FDC6301N_G
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
32711 Pieces
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Especificaciones para FDC6301N_G
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FDC6301N_G
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 9.5pF @ 10V
Potencia - max : 700mW
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor : SuperSOT™-6
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para FDC6301N_G
Hojas de datos : FDC6301N_G.pdf
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