TSM080N03EPQ56 RLG - MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2287255 Pieces
Precio de referencia
USD 0.122664
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Especificaciones para TSM080N03EPQ56 RLG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TSM080N03EPQ56 RLG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción : MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 55A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 750pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PDFN (5x6)
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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