FQP6N60C_F080 - MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Número de pieza del fabricante

FQP6N60C_F080

Número interno de parte

AX-FQP6N60C_F080

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

7344 Pieces

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Especificaciones para FQP6N60C_F080

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FQP6N60C_F080

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Serie : QFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 810pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220-3

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FQP6N60C_F080

Hojas de datos : FQP6N60C_F080.pdf

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