S27KS0641DPBHB023 - IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
130525 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para S27KS0641DPBHB023
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
S27KS0641DPBHB023
Fabricante :
Cypress Semiconductor Corp
Descripción :
IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ
Serie :
Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS
Estado de la pieza :
Active
Tipo de memoria :
Volatile
Formato de memoria :
PSRAM
Tecnología :
PSRAM (Pseudo SRAM)
Tamaño de la memoria :
64Mb (8M x 8)
Frecuencia de reloj :
166MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página :
-
Tiempo de acceso :
40ns
interfaz de memoria :
Parallel
Suministro de voltaje :
1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
24-VBGA
Paquete del dispositivo del proveedor :
24-FBGA (6x8)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para S27KS0641DPBHB023
Hojas de datos :
S27KS0641DPBHB023.pdf
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