NSB8MTHE3_A/P - DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
643550 Pieces
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Especificaciones para NSB8MTHE3_A/P
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : NSB8MTHE3_A/P
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción : DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 1000V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 8A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.1V @ 8A
Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : -
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 1000V
Capacitancia a Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263AB
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para NSB8MTHE3_A/P
Hojas de datos : NSB8MTHE3_A/P.pdf
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