IXFH60N65X2-4 - MOSFET N-CH

Número de pieza del fabricante

IXFH60N65X2-4

Número interno de parte

AX-IXFH60N65X2-4

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

57020 Pieces

Precio de referencia

~~USD 4.92~~

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Especificaciones para IXFH60N65X2-4

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXFH60N65X2-4

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH

Serie : HiPerFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 60A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 108nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6300pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 780W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247-4L

Paquete / Caja : TO-247-4

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IXFH60N65X2-4

Hojas de datos : IXFH60N65X2-4.pdf

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