SI1002R-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
47898 Pieces
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Especificaciones para SI1002R-T1-GE3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI1002R-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 610mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 36pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 220mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SC-75A
Paquete / Caja : SC-75A
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SI1002R-T1-GE3
Hojas de datos : SI1002R-T1-GE3.pdf
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