NTMFS5H615NLT1G - T8 60V LOW COSS

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
T8 60V LOW COSS
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
326390 Pieces
Precio de referencia
USD 0.859578
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Especificaciones para NTMFS5H615NLT1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : NTMFS5H615NLT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : T8 60V LOW COSS
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 28A (Ta), 185A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 49A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4860pF @ 30V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : NTMFS5H615NLT1G.pdf

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