TSM048NB06LCR RLG - MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
713680 Pieces
Precio de referencia
USD 0.39312
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Especificaciones para TSM048NB06LCR RLG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TSM048NB06LCR RLG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción : MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 16A (Ta), 107A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6253pF @ 30V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PDFN (5x6)
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : TSM048NB06LCR RLG.pdf

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