SI5432DC-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
21378 Pieces
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Especificaciones para SI5432DC-T1-GE3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SI5432DC-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 8.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (Max) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1200pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
1206-8 ChipFET™
Paquete / Caja :
8-SMD, Flat Lead
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SI5432DC-T1-GE3
Hojas de datos :
SI5432DC-T1-GE3.pdf
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