SI6463BDQ-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
7016 Pieces
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Especificaciones para SI6463BDQ-T1-GE3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SI6463BDQ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
6.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
-
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
1.05W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-TSSOP
Paquete / Caja :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SI6463BDQ-T1-GE3
Hojas de datos :
SI6463BDQ-T1-GE3.pdf
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