BUK652R1-30C,127 - MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

Número de pieza del fabricante

BUK652R1-30C,127

Número interno de parte

AX-BUK652R1-30C,127

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

62250 Pieces

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Especificaciones para BUK652R1-30C,127

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BUK652R1-30C,127

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

Serie : TrenchMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 168nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 10918pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 263W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220AB

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para BUK652R1-30C,127

Hojas de datos : BUK652R1-30C,127.pdf

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