SIHB15N65E-GE3 - MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Número de pieza del fabricante

SIHB15N65E-GE3

Número interno de parte

AX-SIHB15N65E-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

235375 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.19196~~

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Especificaciones para SIHB15N65E-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIHB15N65E-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 15A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 96nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1640pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 34W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263 (D²Pak)

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SIHB , SIHB15N

Documentos para SIHB15N65E-GE3

Hojas de datos : SIHB15N65E-GE3.pdf

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