SCT3022KLGC11 - SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
7024 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para SCT3022KLGC11
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SCT3022KLGC11
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descripción :
SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
95A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28.6 mOhm @ 36A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 18.2mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
178nC @ 10V
Vgs (Max) :
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2879pF @ 800V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
427W
Temperatura de funcionamiento :
175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-247N
Paquete / Caja :
TO-247-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SCT3022KLGC11
Hojas de datos :
SCT3022KLGC11.pdf
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