PSMN2R0-25YLDX - PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1131035 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para PSMN2R0-25YLDX
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
PSMN2R0-25YLDX
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descripción :
PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.09 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
34.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2485pF @ 12V
Característica FET :
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (max) :
115W(Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja :
SC-100, SOT-669
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para PSMN2R0-25YLDX
Hojas de datos :
PSMN2R0-25YLDX.pdf
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