US1BHE3/5AT - DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-US1BHE3/5AT
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
13984 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para US1BHE3/5AT
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
US1BHE3/5AT
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
100V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1V @ 1A
Velocidad :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
50ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 100V
Capacitancia a Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
DO-214AC, SMA
Paquete del dispositivo del proveedor :
DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para US1BHE3/5AT
Hojas de datos :
US1BHE3/5AT.pdf
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