KLUDG8J1ZD-B0CP - UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 85 °C Mass Production
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Breve descripción
UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 85 °C Mass Production
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
116445 Pieces
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Especificaciones para KLUDG8J1ZD-B0CP
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
KLUDG8J1ZD-B0CP
Fabricante :
Samsung Semiconductor
Descripción :
UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 85 °C Mass Production
Serie :
DDR3
Versión :
UFS 2.1
Densidad :
128 GB
voltaje :
1.8 / 3.3 V
Interfaz :
G3 2Lane
Tamaño del paquete :
11.5 x 13 x 1.2 mm
Temperatura. :
-40 ~ 85 °C
Estado del producto :
Mass Production
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para KLUDG8J1ZD-B0CP
Hojas de datos :
KLUDG8J1ZD-B0CP.pdf
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