FDD4N60NZ - MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-FDD4N60NZ
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1159365 Pieces
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Especificaciones para FDD4N60NZ
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FDD4N60NZ
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
Serie : UniFET-II™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 10.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 510pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK
Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para FDD4N60NZ
Hojas de datos : FDD4N60NZ.pdf
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