AS4C512M8D3B-12BIN - IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Número de pieza del fabricante

AS4C512M8D3B-12BIN

Número interno de parte

AX-AS4C512M8D3B-12BIN

Fabricante

Alliance Memory, Inc.

Breve descripción

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

17096 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para AS4C512M8D3B-12BIN

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : AS4C512M8D3B-12BIN

Fabricante : Alliance Memory, Inc.

Descripción : IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Serie : -

Estado de la pieza : Preliminary

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - DDR3

Tamaño de la memoria : 4Gb (512M x 8)

Frecuencia de reloj : 800MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns

Tiempo de acceso : 20ns

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.425V ~ 1.575V

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 95°C (TC)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 78-VFBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 78-FBGA (9x10.5)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : AS4C51 , AS4C512M8

Documentos para AS4C512M8D3B-12BIN

Hojas de datos : AS4C512M8D3B-12BIN.pdf

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Número de pieza	Marca	Descripción
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WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV SCREW.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
PEF220BJ80238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8000PF 15KV R230 DISK.
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WF110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
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