SI5980DU-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
27657 Pieces
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Especificaciones para SI5980DU-T1-GE3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI5980DU-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 567 mOhm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 3.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 78pF @ 50V
Potencia - max : 7.8W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : PowerPAK® ChipFET™ Dual
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® ChipFet Dual
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SI5980DU-T1-GE3
Hojas de datos : SI5980DU-T1-GE3.pdf
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