SIZ700DT-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
27937 Pieces
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Especificaciones para SIZ700DT-T1-GE3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SIZ700DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1300pF @ 10V
Potencia - max :
2.36W, 2.8W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
6-PowerPair™
Paquete del dispositivo del proveedor :
6-PowerPair™
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SIZ700DT-T1-GE3
Hojas de datos :
SIZ700DT-T1-GE3.pdf
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