IXTI10N60P - MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

Número de pieza del fabricante

IXTI10N60P

Número interno de parte

AX-IXTI10N60P

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

8976 Pieces

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Especificaciones para IXTI10N60P

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXTI10N60P

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

Serie : PolarHV™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 740 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1610pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 200W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-262 (I2PAK)

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IXTI10N60P

Hojas de datos : IXTI10N60P.pdf

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