AS4C64M8D1-5TIN - IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
118965 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para AS4C64M8D1-5TIN
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
AS4C64M8D1-5TIN
Fabricante :
Alliance Memory, Inc.
Descripción :
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo de memoria :
Volatile
Formato de memoria :
DRAM
Tecnología :
SDRAM - DDR
Tamaño de la memoria :
512Mb (64M x 8)
Frecuencia de reloj :
200MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página :
15ns
Tiempo de acceso :
700ps
interfaz de memoria :
Parallel
Suministro de voltaje :
2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor :
66-TSOP II
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para AS4C64M8D1-5TIN
Hojas de datos :
AS4C64M8D1-5TIN.pdf
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