SI4477DY-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Número de pieza del fabricante

SI4477DY-T1-GE3

Número interno de parte

AX-SI4477DY-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

678865 Pieces

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Especificaciones para SI4477DY-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI4477DY-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 26.6A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4600pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3W (Ta), 6.6W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SI447 , SI4477D

Documentos para SI4477DY-T1-GE3

Hojas de datos : SI4477DY-T1-GE3.pdf

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