SI7909DN-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
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Breve descripción
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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1-2 días
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27909 Pieces
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Especificaciones para SI7909DN-T1-E3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI7909DN-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 700µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -
Potencia - max : 1.3W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8 Dual
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SI7909DN-T1-E3
Hojas de datos : SI7909DN-T1-E3.pdf
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